Tower半导体发布其最先进第二代65nmBCD电源管理平台

2022-05-11 14:54来源:IT之家   阅读量:8572   

扫描二维码分享

,5月9日,Tower Semiconductor宣布扩展其电源管理平台,发布其最先进的第二代65nm BCD,将其工作范围扩展至24V,并将RDSON降低20%该公司还在其180纳米BCD平台上添加了深沟槽隔离,可将芯片尺寸缩小40%,最高可达125V新版本满足了对更高电压和更大功率IC日益增长的需求,进一步巩固了Tower在功率器件领域的领先市场地位

Tower的65nm BCD平台以其在功耗性能,成本和集成竞争力方面的领先优势,被誉为一流的亚90nm BCD技术第二代65纳米BCD受益于功率性能和芯片尺寸降低了20%,这是由于器件的LDMOS RDSON降低至16V,电压扩展至24V运行这些进步满足了计算和消费市场对单芯片高功率转换器的需求,包括用于CPU和GPU的高功率稳压器,以及充电器,高功率电机驱动器和功率转换器等应用

该公司的180nm BCD在电压覆盖范围,隔离方案,功率性能,芯片尺寸和掩膜数方面都是业界最宽的一流平台180纳米BCD深沟槽隔离方案在单个IC中提供了更好的抗扰度,并且在高电压下具有灵活性您可以选择多种隔离方案,并将芯片尺寸缩小高达40%

郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。

返回顶部
返回顶部